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?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
1N3070, Rev. A
1N3070
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
TA
= 25
°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TA=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 200 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 500 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol Parameter Value Units
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C
Symbol Parameter Test Conditions Min. Max. Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 100
μA 200 V
VF
Forward Voltage IF
= 100mA 1.0 V
IR
Reverse Leakage VR
= 175V
100
nA
VR
= 175V, T
A
= 150
°C
100
μA
CT
Total Capacitance VR
= 0V, f = 1.0MHz 5 pF
trr
Reverse Recovery Time IF
= I
R
= 30mA, RL = 100
?50 ns
1N3070
DO-35
COLOR BAND DENOTES CATHODE
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